JAN2N6798
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| Référence | JAN2N6798 |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | JAN2N6798 | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH TO-205AF TO-39 | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 5540 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-39 | Séries | Military, MIL-PRF-19500/557 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420 mOhm @ 5.5A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| Emballage | Bulk | Package / Boîte | TO-205AF Metal Can |
| Autres noms | JAN2N6798-MIL | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 42.07nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 200V |
| Description détaillée | N-Channel 200V 5.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 5.5A (Tc) |
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