JANTX1N6622US

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Référence	JANTX1N6622US
Fabricant	Microsemi
La description	DIODE GEN PURP 660V 2A D5A
État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS

~~In Stock~~ 6158 pcs
Référence Prix (En dollars américains)	100 pcs
Référence Prix (En dollars américains)	$6.415

Paramètre de produit
Fiche technique

Product parameter

Référence	JANTX1N6622US	Fabricant	Microsemi
La description	DIODE GEN PURP 660V 2A D5A	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible	6158 pcs	Fiche technique	1N6620-25US
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	1.4V @ 1.2A
Tension - inverse (Vr) (max)	660V	Package composant fournisseur	D-5A
La vitesse	Fast Recovery = 200mA (Io)	Séries	Military, MIL-PRF-19500/585
Temps de recouvrement inverse (trr)	30ns	Emballage	Bulk
Package / Boîte	SQ-MELF, A	Autres noms	1086-2650 1086-2650-MIL
Température d'utilisation - Jonction	-65°C ~ 150°C	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	18 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Type de diode	Standard
Description détaillée	Diode Standard 660V 2A Surface Mount D-5A	Courant - fuite, inverse à Vr	500nA @ 660V
Courant - Rectifié moyenne (Io)	2A	Capacité à Vr, F	10pF @ 10V, 1MHz

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