JANTX2N5796U
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| Référence | JANTX2N5796U |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | TRANS 2PNP 60V 0.6A U-PKG |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
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- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | JANTX2N5796U | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS 2PNP 60V 0.6A U-PKG | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 4995 pcs | Fiche technique | 2N5793,2N5794(U) |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA | Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
| Package composant fournisseur | 6-SMD | Séries | Military, MIL-PRF-19500/496 |
| Puissance - Max | 600mW | Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | 6-SMD, No Lead | Autres noms | 1086-15532 1086-15532-MIL |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Fréquence - Transition | - | Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 600mA 600mW Surface Mount 6-SMD |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V | Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 600mA |
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