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JANTXV1N5187

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Référence JANTXV1N5187
Fabricant Microsemi Corporation
La description DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 5566 pcs
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Référence JANTXV1N5187 Fabricant Microsemi Corporation
La description DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 5566 pcs Fiche technique 1N5186-88, 1N5190
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Inverse de crête (max) Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 3A Tension - Ventilation Axial
Séries Military, MIL-PRF-19500/424 État RoHS Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Résistance @ Si, F -
Polarisation B, Axial Autres noms 1086-18766
1086-18766-MIL
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 14 Weeks Référence fabricant JANTXV1N5187
Description élargie Diode Standard 100V 3A Through Hole Axial Configuration diode 2µA @ 100V
La description DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL Courant - fuite, inverse à Vr 1.5V @ 9A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 100V Capacité à Vr, F -65°C ~ 175°C

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