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JANTXV1N5809

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Référence JANTXV1N5809
Fabricant Microsemi
La description DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 4794 pcs
Référence Prix
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Référence JANTXV1N5809 Fabricant Microsemi
La description DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 4794 pcs Fiche technique 1N5807,9,11
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 875mV @ 4A
Tension - inverse (Vr) (max) 100V La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries Military, MIL-PRF-19500/477 Temps de recouvrement inverse (trr) 30ns
Emballage Bulk Package / Boîte B, Axial
Autres noms 1086-2846
1086-2846-MIL		 Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 175°C
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 14 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode Standard Description détaillée Diode Standard 100V 3A Through Hole
Courant - fuite, inverse à Vr 5µA @ 100V Courant - Rectifié moyenne (Io) 3A
Capacité à Vr, F 65pF @ 10V, 1MHz

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