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JANTXV1N6629US

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Référence JANTXV1N6629US
Fabricant Microsemi
La description DIODE GEN PURP 800V 1.4A D5B
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 3124 pcs
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Référence JANTXV1N6629US Fabricant Microsemi
La description DIODE GEN PURP 800V 1.4A D5B État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 3124 pcs Fiche technique 1N6626US-1N6631US
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.4V @ 1.4A
Tension - inverse (Vr) (max) 800V Package composant fournisseur D-5B
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 60ns Emballage Bulk
Package / Boîte SQ-MELF, E Autres noms JANTXV1N6629US-MIL
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 150°C Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Type de diode Standard
Description détaillée Diode Standard 800V 1.4A Surface Mount D-5B Courant - fuite, inverse à Vr 2µA @ 800V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1.4A Capacité à Vr, F 40pF @ 10V, 1MHz

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