JTDB75
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| Référence | JTDB75 |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | TRANS RF BIPO 220W 8A 55AW1 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 25 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $86.205 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | JTDB75 | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS RF BIPO 220W 8A 55AW1 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 345 pcs | Fiche technique | JTDB75 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 55V |
| Transistor Type | NPN | Package composant fournisseur | 55AW |
| Séries | - | Puissance - Max | 220W |
| Emballage | Bulk | Package / Boîte | 55AW |
| Température de fonctionnement | 200°C (TJ) | Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Type de montage | Chassis Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 32 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Gain | 7dB ~ 8.2dB | Fréquence - Transition | 960MHz ~ 1.215GHz |
| Description détaillée | RF Transistor NPN 55V 8A 960MHz ~ 1.215GHz 220W Chassis Mount 55AW | Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 1A, 5V |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 8A |
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