MASMBJ33CAE3
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| Référence | MASMBJ33CAE3 |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | TVS DIODE 33V 53.3V DO214AA |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 167 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.147 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | MASMBJ33CAE3 | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | TVS DIODE 33V 53.3V DO214AA | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 16296 pcs | Fiche technique | MSMBx5.0A - MXLSMBx170CAe3 |
| Catégorie | Protection des circuits | Tension - inverse (typ) | 33V |
| Tension - Clamping (Max) @ Ipp | 53.3V | Tension - Réduction (Min) | 36.7V |
| Type | Zener | Package composant fournisseur | SMBJ (DO-214AA) |
| Séries | Military, MIL-PRF-19500 | Protection de ligne électrique | No |
| Power - Peak Pulse | 600W | Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | DO-214AA, SMB | Autres noms | 1086-5539 1086-5539-MIL |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Courant - Pulse (10 / 1000μs) | 11.3A | Capacitance @ Fréquence | - |
| Canaux bidirectionnels | 1 | Applications | General Purpose |
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- Partie#:
MT41K512M8DA-107 AAT:P TR - Fabricant:
Micron Technology - La description:
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA - En stock:
8195