MDS60L
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| Référence | MDS60L |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | TRANS RF BIPO 120W 4A 55AW1 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 50 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $86.796 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | MDS60L | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS RF BIPO 120W 4A 55AW1 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 444 pcs | Fiche technique | MDS60L |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 65V |
| Transistor Type | NPN | Package composant fournisseur | 55AW |
| Séries | - | Puissance - Max | 120W |
| Emballage | Bulk | Package / Boîte | 55AW |
| Température de fonctionnement | 200°C (TJ) | Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Type de montage | Chassis Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 32 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Gain | 10dB | Fréquence - Transition | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| Description détaillée | RF Transistor NPN 65V 4A 1.03GHz ~ 1.09GHz 120W Chassis Mount 55AW | Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 500mA, 5V |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 4A |
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