MRF586
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| Référence | MRF586 |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | TRANS RF BIPO 1W 200MA TO39 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | MRF586 | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS RF BIPO 1W 200MA TO39 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4049 pcs | Fiche technique | MRF586 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 17V |
| Transistor Type | NPN | Package composant fournisseur | TO-39 |
| Séries | - | Puissance - Max | 1W |
| Emballage | Bulk | Package / Boîte | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Température de fonctionnement | - | Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Gain | 13.5dB |
| Fréquence - Transition | 3GHz | Description détaillée | RF Transistor NPN 17V 200mA 3GHz 1W Through Hole TO-39 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V | Courant - Collecteur (Ic) (max) | 200mA |
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