MS1006
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| Référence | MS1006 |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | RF POWER TRANSISTOR |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | MS1006 | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | RF POWER TRANSISTOR | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4921 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 55V |
| Transistor Type | NPN | Package composant fournisseur | M135 |
| Séries | - | Puissance - Max | 127W |
| Package / Boîte | M135 | Température de fonctionnement | 200°C |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - | Type de montage | Stud Mount |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Gain | 14dB |
| Fréquence - Transition | 30MHz | Description détaillée | RF Transistor NPN 55V 3.25A 30MHz 127W Stud Mount M135 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 19 @ 1.4A, 6V | Courant - Collecteur (Ic) (max) | 3.25A |
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