MS652S
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| Référence | MS652S |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | TRANS RF BIPO 25W 2A M123 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | MS652S | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS RF BIPO 25W 2A M123 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4437 pcs | Fiche technique | MS652(S) |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 16V |
| Transistor Type | NPN | Package composant fournisseur | M123 |
| Séries | - | Puissance - Max | 25W |
| Emballage | Bulk | Package / Boîte | M123 |
| Température de fonctionnement | 200°C (TJ) | Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Type de montage | Chassis Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Gain | 10dB |
| Fréquence - Transition | 450MHz ~ 512MHz | Description détaillée | RF Transistor NPN 16V 2A 450MHz ~ 512MHz 25W Chassis Mount M123 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 200mA, 5V | Courant - Collecteur (Ic) (max) | 2A |
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