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MSC1175MA

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Référence MSC1175MA
Fabricant Microsemi
La description RF POWER TRANSISTOR
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 5203 pcs
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Référence MSC1175MA Fabricant Microsemi
La description RF POWER TRANSISTOR État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5203 pcs Fiche technique
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 65V
Transistor Type NPN Package composant fournisseur M218
Séries - Puissance - Max 400W
Package / Boîte M218 Température de fonctionnement 250°C
Noise Figure (dB Typ @ f) - Type de montage Chassis Mount
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Gain 8dB
Fréquence - Transition 1.025GHz ~ 1.15GHz Description détaillée RF Transistor NPN 65V 12A 1.025GHz ~ 1.15GHz 400W Chassis Mount M218
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 1A, 5V Courant - Collecteur (Ic) (max) 12A

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