MX1H5615
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| Référence | MX1H5615 |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi Corporation |
| La description | DIODE GEN PURP 200V AXIAL |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | MX1H5615 | Fabricant | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE GEN PURP 200V AXIAL | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4504 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Inverse de crête (max) | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | - | Tension - Ventilation | Axial |
| Séries | - | État RoHS | Bulk |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Résistance @ Si, F | - |
| Polarisation | Axial | Autres noms | Q3456485 |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | MX1H5615 | Description élargie | Diode Standard 200V Through Hole Axial |
| Configuration diode | - | La description | DIODE GEN PURP 200V AXIAL |
| Courant - fuite, inverse à Vr | - | Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 200V |
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