SG2803J-883B
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| Référence | SG2803J-883B |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | SG2803J-883B | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5387 pcs | Fiche technique | SG2800 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA | Transistor Type | 8 NPN Darlington |
| Package composant fournisseur | 18-CDIP | Séries | - |
| Puissance - Max | - | Emballage | Tube |
| Package / Boîte | - | Autres noms | 1259-1084 1259-1084-MIL Q10610783 Q10991540 Q11657753 SG2803J883B |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TA) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | - | Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 18-CDIP |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V | Courant - Collecteur Cutoff (Max) | - |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 500mA |
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