UES1102SM
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| Référence | UES1102SM |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi |
| La description | DIODE GEN PURP 100V 2.5A A-MELF |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $9.868 | $9.127 | $7.795 | |||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | UES1102SM | Fabricant | Microsemi |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE GEN PURP 100V 2.5A A-MELF | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 4181 pcs | Fiche technique | UES1102SM |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - inverse (Vr) (max) | 100V |
| Package composant fournisseur | A-MELF | La vitesse | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries | - | Temps de recouvrement inverse (trr) | 25ns |
| Emballage | Bulk | Package / Boîte | SQ-MELF, A |
| Température d'utilisation - Jonction | 150°C (Max) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 8 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Type de diode | Standard |
| Description détaillée | Diode Standard 100V 2.5A Surface Mount A-MELF | Courant - fuite, inverse à Vr | 2µA @ 100V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io) | 2.5A | Capacité à Vr, F | 3.5pF @ 6V, 1MHz |
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