UES706HR2
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| Référence | UES706HR2 |
|---|---|
| Fabricant | Microsemi Corporation |
| La description | DIODE GEN PURP 400V 20A DO4 |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $37.575 | $35.226 | $33.582 | |||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | UES706HR2 | Fabricant | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE GEN PURP 400V 20A DO4 | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 989 pcs | Fiche technique | UES704-06(HR2) |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Inverse de crête (max) | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 20A (DC) | Tension - Ventilation | DO-4 |
| Séries | - | État RoHS | Bulk |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) | Résistance @ Si, F | - |
| Polarisation | DO-203AA, DO-4, Stud | Température d'utilisation - Jonction | 50ns |
| Type de montage | Chassis, Stud Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | UES706HR2 | Description élargie | Diode Standard 400V 20A (DC) Chassis, Stud Mount DO-4 |
| Configuration diode | 50µA @ 400V | La description | DIODE GEN PURP 400V 20A DO4 |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 1.25V @ 20A | Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 400V |
| Capacité à Vr, F | -55°C ~ 150°C |
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