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PBLS2003S,115

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Référence PBLS2003S,115
Fabricant NXP Semiconductors / Freescale
La description TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 4549 pcs
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Référence PBLS2003S,115 Fabricant NXP Semiconductors / Freescale
La description TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4549 pcs Fiche technique
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V, 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Package composant fournisseur 8-SO Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms Résistance - Base (R1) 10 kOhms
Puissance - Max 1.5W Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Autres noms 568-7231-2
934060279115
PBLS2003S T/R
PBLS2003S T/R-ND
PBLS2003S,115-ND
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition 100MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 20V 100mA, 3A 100MHz 1.5W Surface Mount 8-SO Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 1µA, 100nA Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA, 3A
Numéro de pièce de base PBLS2003

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NXP Semiconductors / Freescale PBLS2003S,115 PBLS2003S,115 distributeur Fournisseur PBLS2003S,115 PBLS2003S,115 prix PBLS2003S,115 Download Datasheet PBLS2003S,115 Datasheet Actions PBLS2003S,115acheter PBLS2003S,115 NXP Semiconductors / Freescale PBLS2003S,115 NXP Semiconductors PBLS2003S,115 Freescale PBLS2003S,115 Freescale Semiconductor - NXP PBLS2003S,115 NXP USA Inc. PBLS2003S,115