PH5525L,115
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| Référence | PH5525L,115 |
|---|---|
| Fabricant | NXP Semiconductors / Freescale |
| La description | MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | PH5525L,115 | Fabricant | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4534 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | LFPAK56, Power-SO8 | Séries | TrenchMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 25A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 62.5W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK |
| Autres noms | 934060924115 PH5525L T/R PH5525L T/R-ND |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2150pF @ 12V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 16.6nC @ 4.5V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 25V | Description détaillée | N-Channel 25V 81.7A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 81.7A (Tc) |
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