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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > PBSS4160QAZ

PBSS4160QAZ

PBSS4160QAZ
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Référence PBSS4160QAZ
Fabricant Nexperia
La description TRANS NPN 60V 1A 3DFN
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 534444 pcs
Référence Prix
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Référence PBSS4160QAZ Fabricant Nexperia
La description TRANS NPN 60V 1A 3DFN État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 534444 pcs Fiche technique PBSS4160QA
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 245mV @ 50mA, 1A Transistor Type NPN
Package composant fournisseur DFN1010D-3 Séries -
Puissance - Max 1W Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte 3-XDFN Exposed Pad Autres noms 1727-1462-1
568-10933-1
568-10933-1-ND
Température de fonctionnement 150°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition 180MHz
Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1A 180MHz 1W Surface Mount DFN1010D-3 Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 85 @ 1A, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO) Courant - Collecteur (Ic) (max) 1A

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  • Fabricant:Nexperia
  • La description:TRANS 2NPN 60V 0.87A SC-74
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