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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > PDTA124EQAZ

PDTA124EQAZ

PDTA124EQAZ
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Référence PDTA124EQAZ
Fabricant Nexperia
La description TRANS PREBIAS PNP 3DFN
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 1657296 pcs
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Référence PDTA124EQAZ Fabricant Nexperia
La description TRANS PREBIAS PNP 3DFN État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1657296 pcs Fiche technique PDTA143, PDTA1x4EQA
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA Transistor Type PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur DFN1010D-3 Séries Automotive, AEC-Q101
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 22 kOhms Résistance - Base (R1) 22 kOhms
Puissance - Max 280mW Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 3-XDFN Exposed Pad Autres noms 934069137147
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 8 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 180MHz Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 180MHz 280mW Surface Mount DFN1010D-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 5V Courant - Collecteur Cutoff (Max) 1µA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

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