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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > PDTC114TM,315

PDTC114TM,315

PDTC114TM,315
OMRON AUTOMATION & SAFETYLes images sont fournies à titre indicatif.
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Référence PDTC114TM,315
Fabricant Nexperia
La description TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 1983733 pcs
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Référence PDTC114TM,315 Fabricant Nexperia
La description TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1983733 pcs Fiche technique PDTC114T Series
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur DFN1006-3 Séries -
Résistance - Base (R1) 10 kOhms Puissance - Max 250mW
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte SC-101, SOT-883
Autres noms 1727-3030-2
568-2141-2
568-2141-2-ND
934057171315
PDTC114TM T/R		 Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount DFN1006-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 1mA, 5V Courant - Collecteur Cutoff (Max) 1µA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA Numéro de pièce de base PDTC114

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