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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > PDTC115EU,115

PDTC115EU,115

PDTC115EU,115
OMRON AUTOMATION & SAFETYLes images sont fournies à titre indicatif.
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Référence PDTC115EU,115
Fabricant Nexperia
La description TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 2239881 pcs
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Référence PDTC115EU,115 Fabricant Nexperia
La description TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 2239881 pcs Fiche technique PDTC115E Series
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur SOT-323-3 Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 100 kOhms Résistance - Base (R1) 100 kOhms
Puissance - Max 200mW Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SC-70, SOT-323 Autres noms 934057289115
PDTC115EU T/R
PDTC115EU T/R-ND
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 20mA 200mW Surface Mount SOT-323-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 5V Courant - Collecteur Cutoff (Max) 1µA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 20mA Numéro de pièce de base PDTC115

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