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PML260SN,118

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Référence PML260SN,118
Fabricant Nexperia
La description MOSFET N-CH 200V 8.8A 8HVSON
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 81016 pcs
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Référence PML260SN,118 Fabricant Nexperia
La description MOSFET N-CH 200V 8.8A 8HVSON État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 81016 pcs Fiche technique PML260SN
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur DFN3333-8 Séries TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 294 mOhm @ 2.6A, 10V Dissipation de puissance (max) 50W (Tc)
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte 8-VDFN Exposed Pad
Autres noms 1727-7220-1
568-9716-1
568-9716-1-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 657pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13.3nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 200V Description détaillée N-Channel 200V 8.8A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount DFN3333-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.8A (Tc)

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