MA2S1110GL
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| Référence | MA2S1110GL |
|---|---|
| Fabricant | Panasonic |
| La description | DIODE GEN PURP 80V 100MA SSMINI2 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | MA2S1110GL | Fabricant | Panasonic |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE GEN PURP 80V 100MA SSMINI2 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4344 pcs | Fiche technique | MA2S1110G Datasheet |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.2V @ 100mA |
| Tension - inverse (Vr) (max) | 80V | Package composant fournisseur | SSMini2-F4 |
| La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Séries | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 3ns | Emballage | Original-Reel® |
| Package / Boîte | SC-79, SOD-523 | Autres noms | MA2S1110GLDKR |
| Température d'utilisation - Jonction | 150°C (Max) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode | Standard | Description détaillée | Diode Standard 80V 100mA (DC) Surface Mount SSMini2-F4 |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 100nA @ 75V | Courant - Rectifié moyenne (Io) | 100mA (DC) |
| Capacité à Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz | Numéro de pièce de base | MA2S111 |
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