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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > UNR221F00L

UNR221F00L

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Référence UNR221F00L
Fabricant Panasonic
La description TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
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Référence UNR221F00L Fabricant Panasonic
La description TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5112 pcs Fiche technique UNR221x Series
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur Mini3-G1 Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms Résistance - Base (R1) 4.7 kOhms
Puissance - Max 200mW Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Autres noms UN221F-(TX)
UN221F-TX
UN221FTR
UN221FTR-ND
UNR221F00LTR
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition 150MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1 Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

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