UNR41160RA
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| Référence | UNR41160RA |
|---|---|
| Fabricant | Panasonic |
| La description | TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | UNR41160RA | Fabricant | Panasonic |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5193 pcs | Fiche technique | UNR411x Series |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Package composant fournisseur | NS-B1 | Séries | - |
| Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms | Puissance - Max | 300mW |
| Emballage | Tape & Box (TB) | Package / Boîte | NS-B1 |
| Autres noms | UNR41160RATB | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | 80MHz | Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 300mW Through Hole NS-B1 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V | Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
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- Partie#:
SIT8209AI-83-18S-156.250000T - Fabricant:
SiTime - La description:
-40 TO 85C, 7050, 50PPM, 1.8V, 1 - En stock:
40946