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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > UNR511VG0L

UNR511VG0L

UNR511VG0L
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Référence UNR511VG0L
Fabricant Panasonic
La description TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 5128 pcs
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Référence UNR511VG0L Fabricant Panasonic
La description TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5128 pcs Fiche technique UNR511xG Series
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1.5mA, 10mA Transistor Type PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur SMini3-F2 Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 2.2 kOhms Résistance - Base (R1) 2.2 kOhms
Puissance - Max 150mW Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SC-85 Autres noms UNR511VG0LTR
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition 80MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 150mW Surface Mount SMini3-F2 Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 6 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

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