RJS6004WDPK-00#T0
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| Référence | RJS6004WDPK-00#T0 |
|---|---|
| Fabricant | Renesas Electronics America |
| La description | DIODE GEN PURP 600V 20A |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | RJS6004WDPK-00#T0 | Fabricant | Renesas Electronics America |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE GEN PURP 600V 20A | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4676 pcs | Fiche technique | RJS6004WDPK |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1.8V @ 10A |
| Tension - inverse (Vr) (max) | 600V | Package composant fournisseur | TO-3P |
| La vitesse | Fast Recovery = 200mA (Io) | Séries | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 15ns | Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-220-3 Full Pack | Température d'utilisation - Jonction | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Type de diode | Schottky |
| Configuration diode | 1 Pair Common Cathode | Description détaillée | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 600V 10A (DC) Through Hole TO-220-3 Full Pack |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 10µA @ 600V | Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 10A (DC) |
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