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2ST501T

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Référence 2ST501T
Fabricant STMicroelectronics
La description TRANS NPN DARL 350V 4A TO-220
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 90192 pcs
Référence Prix
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Référence 2ST501T Fabricant STMicroelectronics
La description TRANS NPN DARL 350V 4A TO-220 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 90192 pcs Fiche technique 2ST501T
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 350V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 2mA, 2A Transistor Type NPN - Darlington
Package composant fournisseur TO-220AB Séries -
Puissance - Max 100W Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3 Autres noms 2ST501T-ND
497-16232-5
Température de fonctionnement 150°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 38 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition -
Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350V 4A 100W Through Hole TO-220AB Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 2A, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100µA Courant - Collecteur (Ic) (max) 4A

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