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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > BUL1403ED

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Référence BUL1403ED
Fabricant STMicroelectronics
La description TRANS NPN 650V 3A TO-220
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 54100 pcs
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Référence BUL1403ED Fabricant STMicroelectronics
La description TRANS NPN 650V 3A TO-220 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 54100 pcs Fiche technique BUL1403ED
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 50mA, 500mA Transistor Type NPN
Package composant fournisseur TO-220AB Séries -
Puissance - Max 80W Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3 Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition -
Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor NPN 650V 3A 80W Through Hole TO-220AB Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 400mA, 3V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 1mA Courant - Collecteur (Ic) (max) 3A

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