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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > BUV27

BUV27

BUV27
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Référence BUV27
Fabricant STMicroelectronics
La description TRANS NPN 120V 12A TO-220
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 54329 pcs
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Référence BUV27 Fabricant STMicroelectronics
La description TRANS NPN 120V 12A TO-220 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 54329 pcs Fiche technique BUV27
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 800mA, 8A Transistor Type NPN
Package composant fournisseur TO-220AB Séries -
Puissance - Max 85W Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3 Autres noms 497-7216-5
BUV27-ND
Température de fonctionnement 175°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition - Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 12A 85W Through Hole TO-220AB
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce - Courant - Collecteur Cutoff (Max) -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 12A Numéro de pièce de base BUV27

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  • Partie#:2N5683
  • Fabricant:Microsemi
  • La description:NPN TRANSISTOR
  • En stock:1189
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