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ESM2012DV

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Référence ESM2012DV
Fabricant STMicroelectronics
La description TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 4907 pcs
Référence Prix
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Référence ESM2012DV Fabricant STMicroelectronics
La description TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4907 pcs Fiche technique ESM2012DV
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 1A, 100A Transistor Type NPN - Darlington
Package composant fournisseur ISOTOP® Séries -
Puissance - Max 175W Emballage Tube
Package / Boîte ISOTOP Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition -
Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 120A 175W Chassis Mount ISOTOP® Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1200 @ 100A, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) - Courant - Collecteur (Ic) (max) 120A

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