IRF640FP
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| Référence | IRF640FP |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.486 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | IRF640FP | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 75039 pcs | Fiche technique | IRF640(FP) |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-220FP | Séries | MESH OVERLAY™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 9A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 40W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-220-3 Full Pack |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1560pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 200V |
| Description détaillée | N-Channel 200V 18A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 18A (Tc) |
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