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IRF820

IRF820
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Référence IRF820
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 500V 4A TO-220
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 111970 pcs
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Référence IRF820 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 111970 pcs Fiche technique IRF820
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220AB Séries PowerMESH™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 1.5A, 10V Dissipation de puissance (max) 80W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 497-2733-5 Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 315pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 500V Description détaillée N-Channel 500V 4A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)

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