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IRF830

IRF830
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Référence IRF830
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 132738 pcs
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Référence IRF830 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220 État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 132738 pcs Fiche technique IRF830
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220AB Séries PowerMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 2.7A, 10V Dissipation de puissance (max) 100W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 497-2732-5 Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 500V Description détaillée N-Channel 500V 4.5A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Tc)

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