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IRFP460

IRFP460
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Référence IRFP460
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 500V 18.4A TO-247
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 39313 pcs
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Référence IRFP460 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 500V 18.4A TO-247 État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 39313 pcs Fiche technique IRFP460
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-247-3 Séries PowerMESH™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 9A, 10V Dissipation de puissance (max) 220W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-247-3
Autres noms 497-2734-5 Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2980pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 128nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 500V Description détaillée N-Channel 500V 18.4A (Tc) 220W (Tc) Through Hole TO-247-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18.4A (Tc)

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