MD2009DFX
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| Référence | MD2009DFX |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | TRANS NPN 700V 10A ISOWATT218FX |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | MD2009DFX | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS NPN 700V 10A ISOWATT218FX | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5948 pcs | Fiche technique | MD2009DFX |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 700V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.8V @ 1.4A, 5.5A | Transistor Type | NPN |
| Package composant fournisseur | ISOWATT-218FX | Séries | - |
| Puissance - Max | 58W | Emballage | Tube |
| Package / Boîte | ISOWATT218FX | Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Fréquence - Transition | - |
| Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN 700V 10A 58W Through Hole ISOWATT-218FX | Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 5 @ 5.5A, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 200µA | Courant - Collecteur (Ic) (max) | 10A |
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