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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > MJD122-1

MJD122-1

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Référence MJD122-1
Fabricant STMicroelectronics
La description TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 153563 pcs
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Référence MJD122-1 Fabricant STMicroelectronics
La description TRANS NPN DARL 100V 8A TO251 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 153563 pcs Fiche technique MJD122(T4,-1), MJD127(T4,-1)
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 4V @ 80mA, 8A Transistor Type NPN - Darlington
Package composant fournisseur TO-251-3 Séries -
Puissance - Max 20W Emballage Bulk
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Autres noms 497-16183
MJD122-1-ND
Température de fonctionnement 150°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition - Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 20W Through Hole TO-251-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 4A, 4V Courant - Collecteur Cutoff (Max) 10µA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 8A Numéro de pièce de base MJD122

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