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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > MJD31C

MJD31C

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Référence MJD31C
Fabricant STMicroelectronics
La description TRANS NPN 100V 3A D-PAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 161247 pcs
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Référence MJD31C Fabricant STMicroelectronics
La description TRANS NPN 100V 3A D-PAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 161247 pcs Fiche technique MJD31C
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A Transistor Type NPN
Package composant fournisseur DPAK Séries -
Puissance - Max 15W Emballage Tube
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition -
Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 15W Surface Mount DPAK Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 50µA Courant - Collecteur (Ic) (max) 3A
Numéro de pièce de base MJD31C

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