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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > MJD45H11T4

MJD45H11T4

MJD45H11T4
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Référence MJD45H11T4
Fabricant STMicroelectronics
La description TRANS PNP 80V 8A D-PAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 148487 pcs
Référence Prix
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Référence MJD45H11T4 Fabricant STMicroelectronics
La description TRANS PNP 80V 8A D-PAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 148487 pcs Fiche technique MJD4(4,5)H11
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A Transistor Type PNP
Package composant fournisseur DPAK Séries -
Puissance - Max 20W Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Autres noms 497-6466-1
Température de fonctionnement 150°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition - Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 20W Surface Mount DPAK
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 4A, 1V Courant - Collecteur Cutoff (Max) 10µA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 8A Numéro de pièce de base MJD45H11

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