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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > MJE350

MJE350

MJE350
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Référence MJE350
Fabricant STMicroelectronics
La description TRANS PNP 300V 0.5A SOT-32
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 246878 pcs
Référence Prix
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Référence MJE350 Fabricant STMicroelectronics
La description TRANS PNP 300V 0.5A SOT-32 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 246878 pcs Fiche technique MJE340, MJE350
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 300V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic - Transistor Type PNP
Package composant fournisseur SOT-32-3 Séries -
Puissance - Max 20.8W Emballage Tube
Package / Boîte TO-225AA, TO-126-3 Autres noms 497-2630-5
Température de fonctionnement 150°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 38 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition -
Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 500mA 20.8W Through Hole SOT-32-3 Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 50mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100µA (ICBO) Courant - Collecteur (Ic) (max) 500mA
Numéro de pièce de base MJE350

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