SCTWA50N120
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| Référence | SCTWA50N120 |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 600 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $9.576 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | SCTWA50N120 | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 3526 pcs | Fiche technique | SCTWA50N120 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Vgs (Max) | +25V, -10V | La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Package composant fournisseur | HiP247™ | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69 mOhm @ 40A, 20V | Dissipation de puissance (max) | 318W (Tc) |
| Package / Boîte | TO-247-3 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 400V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 122nC @ 20V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 20V |
| Tension drain-source (Vdss) | 1200V | Description détaillée | N-Channel 1200V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™ |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 65A (Tc) |
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