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STB230NH03L

STB230NH03L
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Référence STB230NH03L
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 46936 pcs
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Référence STB230NH03L Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 46936 pcs Fiche technique STB230NH03L
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D2PAK Séries STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 mOhm @ 40A, 10V Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms 497-7942-2
STB230NH03L-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4700pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V Description détaillée N-Channel 30V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)

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