STB35N60DM2
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| Référence | STB35N60DM2 |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 600V 28A |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.99 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STB35N60DM2 | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 600V 28A | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 36903 pcs | Fiche technique | STB35N60DM2 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | D2PAK | Séries | MDmesh™ DM2 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 14A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 210W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms | 497-16357-2 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 42 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 100V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 600V |
| Description détaillée | N-Channel 600V 28A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount D2PAK | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 28A (Tc) |
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