STB50NE10T4
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| Référence | STB50NE10T4 |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.549 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STB50NE10T4 | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 70562 pcs | Fiche technique | STB50NE10 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | D2PAK | Séries | STripFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 25A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 180W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6000pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 166nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 100V |
| Description détaillée | N-Channel 100V 50A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount D2PAK | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 50A (Tc) |
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