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STB6N60M2

STB6N60M2
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Référence STB6N60M2
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V D2PAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 88513 pcs
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Référence STB6N60M2 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V D2PAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 88513 pcs Fiche technique STx6N60M2
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D2PAK Séries MDmesh™ II Plus
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 2.25A, 10V Dissipation de puissance (max) 60W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms 497-13934-2
STB6N60M2-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 232pF @ 100V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 600V
Description détaillée N-Channel 600V 4.5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount D2PAK Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Tc)

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