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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > STBV45G-AP

STBV45G-AP

STBV45G-AP
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Référence STBV45G-AP
Fabricant STMicroelectronics
La description TRANS NPN 400V 0.75A TO-92AP
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 325953 pcs
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Référence STBV45G-AP Fabricant STMicroelectronics
La description TRANS NPN 400V 0.75A TO-92AP État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 325953 pcs Fiche technique STBV45
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 400V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 135mA, 400mA Transistor Type NPN
Package composant fournisseur TO-92AP Séries -
Puissance - Max 950mW Emballage Tape & Box (TB)
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Autres noms 497-12549-3
STBV45G-AP-ND
Température de fonctionnement 150°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition - Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 750mA 950mW Through Hole TO-92AP
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 5 @ 400mA, 5V Courant - Collecteur Cutoff (Max) 250µA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 750mA Numéro de pièce de base STBV45

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