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STD12NM50N

STD12NM50N
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Référence STD12NM50N
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 24294 pcs
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Référence STD12NM50N Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 500V 11A DPAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 24294 pcs Fiche technique STx12NM50N
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur DPAK Séries MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 5.5A, 10V Dissipation de puissance (max) 100W (Tc)
Emballage Original-Reel® Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms 497-5784-6 Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 940pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 500V Description détaillée N-Channel 500V 11A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)

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