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STD16N50M2

STD16N50M2
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Référence STD16N50M2
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 500V 13A DPAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 59673 pcs
Référence Prix
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Référence STD16N50M2 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 500V 13A DPAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 59673 pcs Fiche technique ST(D,F,P)16N50M2
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-252, (D-Pak) Séries MDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280 mOhm @ 6.5A, 10V Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms 497-15111-1 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19.5nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 500V Description détaillée N-Channel 500V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Tc)

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